STD2HNK60Z
Active - MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
STD2HNK60Z Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain/source (Vdss)
600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
2A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
4.8Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) max a Id
4.5V @ 50μA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
15 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
280 pF @ 25 V
Dissipazione di potenza (max)
45W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Contenitore del fornitore
DPAK
Contenitore/involucro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
STD2HNK60Z Inventario: 480
5.0 / 5.0
2023-03-22 01:07
Prodotto conforme (non ancora testato). Invio rapido e ordinato. Venditore da consigliare. Grazie. Grazie.
2023-03-24 11:36
Come sempre sono soddisfatto di questo venditore Grazie
2023-03-23 22:53
Tutto ok consigliato, ottimo prodotto
2023-03-23 13:21
Funziona senza intoppi grazie
2023-03-22 19:30
Sono molto soddisfatto
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France
