STD13N60M6
Active - MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
STD13N60M6 Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain/source (Vdss)
600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
10A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
380mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) max a Id
4.75V @ 250μA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
13 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
509 pF @ 100 V
Dissipazione di potenza (max)
92W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Contenitore del fornitore
D-PAK (TO-252)
Contenitore/involucro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
STD13N60M6 Inventario: 820
5.0 / 5.0
2023-03-25 13:19
È come la descrizione (Toshiba). È l%27%27importo che ho chiesto. Molto rapidamente mandò a mandare. Non ancora provato, metterò ulteriori commenti più tardi.
2023-03-25 19:53
sembra buono. Non ancora testato.
2022-11-10 14:27
alcuni componenti danneggiati, inutilizzabili
2023-03-20 09:32
Bene 50 pezzi. Ottimo per il prezzo!
2023-03-21 12:55
Bloccato in dogana
United States
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