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STD13N60M2

Active Icon Active - MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
STD13N60M2
STD13N60M2
STMicroelectronics
Fabbricante:
Parte Mfr #
Scheda tecnica:
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
 
3D Model Icon

STD13N60M2 Specificazione

Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Fabbricante
Serie
MDmesh II Plus
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain/source (Vdss)
600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
11A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
380mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V @ 250μA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (max)
?5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
580 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
110W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Contenitore del fornitore
DPAK
Contenitore/involucro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

STD13N60M2 Descrizione

Il STMicroelectronics STD13N60M2 è un transistor a effetto di campo metallico isolato (IGBT) di tipo N, progettato per applicazioni di potenza elevate. Questo dispositivo è particolarmente apprezzato per la sua efficienza, affidabilità e capacità di gestire carichi elevati, rendendolo ideale per una vasta gamma di applicazioni industriali e commerciali.

### Caratteristiche principali:

1. Tipo di dispositivo: Il STD13N60M2 è un IGBT, che combina le caratteristiche di un transistor bipolare e di un transistor a effetto di campo, offrendo un%27elevata efficienza di commutazione e una bassa perdita di potenza.

2. Tensione di blocco (VCE): Questo dispositivo è progettato per gestire tensioni di blocco fino a 600 V, rendendolo adatto per applicazioni che richiedono una gestione di tensioni elevate, come gli inverter e i convertitori di potenza.

3. Corrente nominale (IC): La corrente nominale che il STD13N60M2 può gestire è di 13 A. Questa capacità di corrente elevata lo rende ideale per applicazioni che richiedono un flusso di corrente significativo, come i motori elettrici e i sistemi di alimentazione.

4. RDS(on): La resistenza di drain-source in conduzione è molto bassa, tipicamente intorno a 0,18 Ω, il che contribuisce a ridurre le perdite di potenza e migliorare l%27efficienza complessiva del sistema.

5. Temperatura di funzionamento: Il STD13N60M2 è progettato per funzionare in un ampio intervallo di temperature, da -40 °C a +150 °C, garantendo prestazioni affidabili anche in condizioni ambientali estreme.

6. Package: Il dispositivo è disponibile in un package TO-220, che facilita il montaggio e la dissipazione del calore, essenziale per il funzionamento a lungo termine del dispositivo.

### Applicazioni:

- Inverter: Utilizzato in inverter per la conversione di energia, come quelli impiegati nei sistemi fotovoltaici e nelle applicazioni di energia rinnovabile.

- Controllo motore: Impiegato in sistemi di controllo motore per gestire motori elettrici in applicazioni industriali e commerciali.

- Sistemi di alimentazione: Utilizzato in alimentatori e sistemi di gestione dell%27energia per garantire un%27efficiente distribuzione dell%27energia.

### Vantaggi:

- Alta efficienza: Grazie alla bassa RDS(on), il STD13N60M2 offre un%27elevata efficienza energetica, riducendo le perdite di potenza durante il funzionamento.

- Affidabilità: Progettato per resistere a condizioni operative difficili, garantendo prestazioni stabili nel tempo.

- Versatilità: Può essere utilizzato in una vasta gamma di applicazioni, rendendolo un componente versatile per ingegneri e progettisti.

### Specifiche tecniche:

- Tipo di dispositivo: IGBT
- Tensione di blocco (VCE): 600 V
- Corrente nominale (IC): 13 A
- RDS(on): 0,18 Ω
- Temperatura di funzionamento: -40 °C a +150 °C
- Package: TO-220

In sintesi, il STMicroelectronics STD13N60M2 è un IGBT di alta qualità, progettato per soddisfare le esigenze di prestazioni e affidabilità in una varietà di applicazioni di potenza. Con le sue specifiche tecniche avanzate e la capacità di operare in condizioni estreme, rappresenta una scelta eccellente per i progettisti che cercano soluzioni efficienti e durature nel campo della gestione dell%27energia.

STD13N60M2 Inventario: 14480

Storia Prezzo
$2.88000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
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Ville Räsänen
Location Icon Finland
5 stars
2022-12-19 19:44
La consegna non è arrivata.
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Asher King
Location Icon United States
5 stars
2023-03-25 13:19
È come la descrizione (Toshiba). È l%27%27importo che ho chiesto. Molto rapidamente mandò a mandare. Non ancora provato, metterò ulteriori commenti più tardi.
Author Icon
Éloïse Dupuis
Location Icon France
5 stars
2023-03-25 19:53
sembra buono. Non ancora testato.
Author Icon
Naomi Thompson
Location Icon United States
5 stars
2022-11-10 14:27
alcuni componenti danneggiati, inutilizzabili
Author Icon
Émile Lecomte
Location Icon France
5 stars
2023-03-20 09:32
Bene 50 pezzi. Ottimo per il prezzo!

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