STD10NM60ND
Active - MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
STD10NM60ND Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain/source (Vdss)
600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
8A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
600mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) max a Id
5V @ 250μA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
20 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
577 pF @ 50 V
Dissipazione di potenza (max)
70W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Contenitore del fornitore
DPAK
Contenitore/involucro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
STD10NM60ND Inventario: 33280
5.0 / 5.0
2022-12-19 19:44
La consegna non è arrivata.
2023-03-25 13:19
È come la descrizione (Toshiba). È l%27%27importo che ho chiesto. Molto rapidamente mandò a mandare. Non ancora provato, metterò ulteriori commenti più tardi.
2023-03-25 19:53
sembra buono. Non ancora testato.
2022-11-10 14:27
alcuni componenti danneggiati, inutilizzabili
2023-03-20 09:32
Bene 50 pezzi. Ottimo per il prezzo!
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Finland
