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Casa  /  Semiconduttore Discreti  /  Transistor - FET, MOSFET singoli  /  STMicroelectronics STB30N65DM6AG

STB30N65DM6AG

Active Icon Active - AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V
STB30N65DM6AG
STB30N65DM6AG
STMicroelectronics
Fabbricante:
Parte Mfr #
Scheda tecnica:
Descrizione:
AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V
 
3D Model Icon

STB30N65DM6AG Specificazione

Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Fabbricante
Serie
Automotive, AEC-Q101, MDmesh DM2
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain/source (Vdss)
650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
28A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
115mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) max a Id
4.75V @ 250μA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (max)
?5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
2000 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
223W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Contenitore del fornitore
D2PAK (TO-263)
Contenitore/involucro
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

STB30N65DM6AG Inventario: 12640

Storia Prezzo
$6.63000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
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Ugo Marino
Location Icon Italy
5 stars
2023-03-25 05:08
Tutto buono consigliato
Author Icon
Stanisław Kaczor
Location Icon Poland
5 stars
2023-03-26 07:37
Merce di buona qualità in conformità con l%27%27ordine. Tempo di consegna 18 giorni.
Author Icon
John Jones
Location Icon United Kingdom
5 stars
2023-03-27 06:47
Ottimo articolo, ottimo venditore, A
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Krystyna Zawadzka
Location Icon Poland
5 stars
2023-03-27 01:57
Tutto secondo la descrizione. Russia morduje Ukraińc
Author Icon
Tiziana Rizzo
Location Icon Italy
5 stars
2023-03-27 05:39
Spedizione veloce, tutto come descritto.

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