STB19NM65N
Obsolete - MOSFET N-CH 650V 15.5A D2PAK
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 15.5A D2PAK
STB19NM65N Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto
Obsolete
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain/source (Vdss)
650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
15.5A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
270mOhm @ 7.75A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V @ 250μA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
55 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1900 pF @ 50 V
Dissipazione di potenza (max)
150W (Tc)
Temperatura di funzionamento
150 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Contenitore del fornitore
D2PAK
Contenitore/involucro
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
STB19NM65N Inventario: 29640
5.0 / 5.0
2023-02-22 05:31
Super extra fantastico fantastico.
2023-02-17 10:07
56 / 5.000%26lt;br%26gt;Vertaalresultaten%26lt;br%26gt;Vertaalresultaat%26lt;br%26gt;Ben accolto, prodotto come descritto.
2023-02-18 12:02
Merci in oerdnung!
2022-10-05 14:15
Wysylka molto veloce e consegna molto veloce, transistor IGBT non rozpznawane da tester, rozne parametri elettrici Slaba qualityand e powtarzalnosc IGBT, il venditore non sarà responsabile per le note dotyczace jakosci tranzystorow IGBT, molto ben imballato con koperte pecherzykowa
2023-02-18 20:35
Tutto bene. Raccomando questo venditore.
Poland
