SCT10N120
Active - SICFET N-CH 1200V 12A HIP247
Descrizione:
SICFET N-CH 1200V 12A HIP247
SCT10N120 Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensione drain/source (Vdss)
1200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
12A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
20V
RDSon (max) a Id, Vgs
690mOhm @ 6A, 20V
Vgs(th) max a Id
3.5V @ 250μA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
22 nC @ 20 V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
290 pF @ 400 V
Dissipazione di potenza (max)
150W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Contenitore del fornitore
HiP247?
Contenitore/involucro
TO-247-3
SCT10N120 Inventario: 19780
5.0 / 5.0
2022-12-19 19:44
La consegna non è arrivata.
2023-03-25 13:19
È come la descrizione (Toshiba). È l%27%27importo che ho chiesto. Molto rapidamente mandò a mandare. Non ancora provato, metterò ulteriori commenti più tardi.
2023-03-25 19:53
sembra buono. Non ancora testato.
2022-11-10 14:27
alcuni componenti danneggiati, inutilizzabili
2023-03-20 09:32
Bene 50 pezzi. Ottimo per il prezzo!
Finland
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