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Casa  /  Semiconduttore Discreti  /  Transistor - Bipolare (BJT) - singoli  /  STMicroelectronics MJD122-1

MJD122-1

Active Icon Active - TRANS NPN DARL 100V 8A TO251
MJD122-1
MJD122-1
STMicroelectronics
Fabbricante:
Parte Mfr #
Scheda tecnica:
Descrizione:
TRANS NPN DARL 100V 8A TO251
 
3D Model Icon

MJD122-1 Specificazione

Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Fabbricante
Serie
-
Imballaggio
Bulk
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
NPN - Darlington
Corrente - Collettore (Ic) max
8 A
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)
100 V
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic
4V @ 80mA, 8A
Corrente - Interruzione collettore (max)
10μA
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce
1000 @ 4A, 4V
Potenza - Max
20 W
Frequenza - Transizione
-
Temperatura di funzionamento
150 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Contenitore/involucro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Contenitore del fornitore
TO-251 (IPAK)

MJD122-1 Inventario: 38720

Storia Prezzo
$1.02000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Léon Gaillard
Location Icon France
5 stars
2023-03-31 01:24
funziona bene, come pubblicizzato. Consiglierei
Author Icon
Jasper Lee
Location Icon United States
5 stars
2023-04-06 14:42
Non ancora provato
Author Icon
Lina Meier
Location Icon Germany
5 stars
2023-04-07 12:20
La qualità è eccellente, mentre funziona.
Author Icon
Enrico Morelli
Location Icon Italy
5 stars
2023-04-04 12:09
Tutto ok consigliato
Author Icon
Javier Felipe
Location Icon Spain
5 stars
2023-04-06 08:13
Molto preciso, molto veloce, vantaggioso

MJD122-1 Parti correlate

MJD50T4G
MJD112G
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