L6389ED
Active - IC GATE DRVR HALF-BRIDGE HI/LO
Descrizione:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE HI/LO
L6389ED Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Stato del prodotto
Active
Configurazione comandata
Half-Bridge
Tipo di canale
Independent
Tipo di gate
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Tensione - Alimentazione
17V (Max)
Tensione logica - VIL, VIH
1.1V, 1.8V
Corrente - Uscita di picco (source, drain)
400mA, 650mA
Tipo di ingresso
Inverting
Tensione high-side - Max (bootstrap)
600 V
Tempo di salita/discesa (tip.)
70ns, 40ns
Temperatura di funzionamento
-45 ℃ ~ 125 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Contenitore/involucro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Contenitore del fornitore
8-SOIC
France
