1N411RB
Active - DIODE GEN PURP REV 50V 100A DO8
Descrizione:
DIODE GEN PURP REV 50V 100A DO8
1N411RB Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
Standard, Reverse Polarity
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max
50 V
Corrente - Media rettificata (Io)
100A
Tensione - Diretta (Vf) max a If
1.2 V @ 200 A
Velocità
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (Trr)
-
Corrente - Dispersione inversa a Vr
50 μA @ 50 V
Tipo di montaggio
Stud Mount
Contenitore/involucro
DO-205AA, DO-8, Stud
Contenitore del fornitore
DO-8
Temp. di funzionamento - Giunzione
-65 ℃ ~ 200 ℃
1N411RB Inventario: 46560
5.0 / 5.0
2023-02-22 05:31
Super extra fantastico fantastico.
2023-02-17 10:07
56 / 5.000%26lt;br%26gt;Vertaalresultaten%26lt;br%26gt;Vertaalresultaat%26lt;br%26gt;Ben accolto, prodotto come descritto.
2023-02-18 12:02
Merci in oerdnung!
2022-10-05 14:15
Wysylka molto veloce e consegna molto veloce, transistor IGBT non rozpznawane da tester, rozne parametri elettrici Slaba qualityand e powtarzalnosc IGBT, il venditore non sarà responsabile per le note dotyczace jakosci tranzystorow IGBT, molto ben imballato con koperte pecherzykowa
2023-02-18 20:35
Tutto bene. Raccomando questo venditore.
Poland
