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Casa  /  Semiconduttore Discreti  /  Diodi - Raddrizzatori - Diodi singoli  /  Solid State 1N1671

1N1671

Active Icon Active - DIODE GEN PURP 100V 275A DO9
1N1671
1N1671
Solid State
Fabbricante:
Parte Mfr #
Scheda tecnica:
Descrizione:
DIODE GEN PURP 100V 275A DO9
 
3D Model Icon

1N1671 Specificazione

Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Fabbricante
Serie
-
Imballaggio
Box
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
Standard
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max
100 V
Corrente - Media rettificata (Io)
275A
Tensione - Diretta (Vf) max a If
1.3 V @ 300 A
Velocità
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (Trr)
-
Corrente - Dispersione inversa a Vr
75 μA @ 100 V
Capacità a Vr, F
-
Tipo di montaggio
Stud Mount
Contenitore/involucro
DO-205AB, DO-9, Stud
Contenitore del fornitore
DO-9
Temp. di funzionamento - Giunzione
-65 ℃ ~ 190 ℃

1N1671 Inventario: 24320

Storia Prezzo
$21.00000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Armand Bouvier
Location Icon France
5 stars
2023-02-18 08:54
Acquisto in linea con la descrizione ricevuto molto rapidamente come per gli acquisti precedenti. Consulenza del venditore
Author Icon
Zuzanna Krawczyk
Location Icon Poland
5 stars
2023-02-22 05:31
Super extra fantastico fantastico.
Author Icon
Stijn van der Pol
Location Icon Netherlands
5 stars
2023-02-17 10:07
56 / 5.000%26lt;br%26gt;Vertaalresultaten%26lt;br%26gt;Vertaalresultaat%26lt;br%26gt;Ben accolto, prodotto come descritto.
Author Icon
Philipp Bauer
Location Icon Germany
5 stars
2023-02-18 12:02
Merci in oerdnung!
Author Icon
Tadeusz Wysocki
Location Icon Poland
5 stars
2022-10-05 14:15
Wysylka molto veloce e consegna molto veloce, transistor IGBT non rozpznawane da tester, rozne parametri elettrici Slaba qualityand e powtarzalnosc IGBT, il venditore non sarà responsabile per le note dotyczace jakosci tranzystorow IGBT, molto ben imballato con koperte pecherzykowa

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1N1125RA
1N1666
1N1124A
1N1126A
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