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K4FBE3D4HM-THCL

Active - IC DRAM LPDDR4 32 Gb 4266 Mbps

Fabbricante:

Samsung Semiconductor

Parte Mfr #

K4FBE3D4HM-THCL

Categoria:

Memoria

Scheda tecnica:

K4FBE3D4HM-THCL

Descrizione:

IC DRAM LPDDR4 32 Gb 4266 Mbps

K4FBE3D4HM-THCL Specificazione

Attributo del Prodotto

Valore Attributo

Categoria

Memoria

Fabbricante

Samsung Semiconductor

Serie

-

Imballaggio

Tray

Stato del prodotto

Active

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

LPDDR4

Dimensioni memoria

32 Gb

Organizzazione della memoria

x32

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Durata ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.8 / 1.1 / 1.1 V

Temperatura di funzionamento

-40 ~ 105 ℃

Tipo di montaggio

Surface Mount

Contenitore/involucro

200 FBGA

Contenitore del fornitore

200 FBGA

K4FBE3D4HM-THCL Inventario: 14700

Storia Prezzo

0

5.0 / 5.0

Quentin Giraud

France

2021-07-09 02:45

Ben accolto, non ancora testato

Jukka Laakso

Finland

2021-12-03 00:22

Ordino 10 pezzi. Ora prova tre fiches e due era ID 0x441, che è STM32F412, non STM32F407. Sono molto deluso.

Kęstutis Darius

Lithuania

2021-12-27 06:22

La merce è molto soddisfatta, il venditore Grazie mille.

Justine Perrin

France

2021-06-10 07:32

Recu in 89 giorni, strip, per testare

Lotte van der Veen

Netherlands

2021-11-23 06:50

Tutto ok, grazie!

K4FBE3D4HM-THCL

K4FBE3D4HM-THCL Specificazione

K4FBE3D4HM-THCL Inventario: 14700

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