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Casa  /  Circuiti Integrati (CI)  /  Memoria  /  Samsung Semiconductor K4E8E324ED-EGCG

K4E8E324ED-EGCG

Active Icon EOL - IC DRAM LPDDR3 8 Gb 2133 Mbps
K4E8E324ED-EGCG
K4E8E324ED-EGCG
Samsung Semiconductor
Fabbricante:
Parte Mfr #
Categoria:
Scheda tecnica:
Descrizione:
IC DRAM LPDDR3 8 Gb 2133 Mbps
 
3D Model Icon

K4E8E324ED-EGCG Specificazione

Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Categoria
Fabbricante
Serie
-
Imballaggio
Tray
Stato del prodotto
EOL
Tipo di memoria
Volatile
Formato memoria
DRAM
Tecnologia
LPDDR3
Dimensioni memoria
8 Gb
Organizzazione della memoria
x32
Interfaccia di memoria
Parallel
Frequenza di clock
-
Durata ciclo di scrittura - Parola, pagina
-
Tempo di accesso
-
Tensione - Alimentazione
1.8 / 1.2 / 1.2 V
Temperatura di funzionamento
-25 ~ 85 ℃
Tipo di montaggio
Surface Mount
Contenitore/involucro
178 FBGA
Contenitore del fornitore
178 FBGA

K4E8E324ED-EGCG Inventario: 22600

Storia Prezzo
0
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Kęstutis Darius
Location Icon Lithuania
5 stars
2021-12-27 06:22
La merce è molto soddisfatta, il venditore Grazie mille.
Author Icon
Justine Perrin
Location Icon France
5 stars
2021-06-10 07:32
Recu in 89 giorni, strip, per testare
Author Icon
Lotte van der Veen
Location Icon Netherlands
5 stars
2021-11-23 06:50
Tutto ok, grazie!
Author Icon
Hugo
Location Icon Spain
5 stars
2021-12-23 03:52
Va bene. Ricevuto in tempo
Author Icon
Felipe Soto
Location Icon Spain
5 stars
2021-02-06 23:42
Ricevuto perfettamente. Saldato un%27%27unità sul circuito stampato corrispondente che funziona perfettamente per sostituire un%27%27unità difettosa su una piastra Arduino Nano.

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