Nuovi Arrivi

Controllo di qualità

Recensioni

K4B2G1646F-BCMA

EOL - IC DRAM DDR3 2 Gb 1866 Mbps

Fabbricante:

Samsung Semiconductor

Parte Mfr #

K4B2G1646F-BCMA

Categoria:

Memoria

Scheda tecnica:

K4B2G1646F-BCMA

Descrizione:

IC DRAM DDR3 2 Gb 1866 Mbps

K4B2G1646F-BCMA Specificazione

Attributo del Prodotto

Valore Attributo

Categoria

Memoria

Fabbricante

Samsung Semiconductor

Serie

-

Imballaggio

Tray

Stato del prodotto

EOL

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

DDR3

Dimensioni memoria

2 Gb

Organizzazione della memoria

128M x 16

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Durata ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.5 V

Temperatura di funzionamento

0 ~ 85 ℃

Tipo di montaggio

Surface Mount

Contenitore/involucro

96 FBGA

Contenitore del fornitore

96 FBGA

K4B2G1646F-BCMA Inventario: 7680

Storia Prezzo

0

5.0 / 5.0

Jukka Laakso

Finland

2021-12-03 00:22

Ordino 10 pezzi. Ora prova tre fiches e due era ID 0x441, che è STM32F412, non STM32F407. Sono molto deluso.

Kęstutis Darius

Lithuania

2021-12-27 06:22

La merce è molto soddisfatta, il venditore Grazie mille.

Justine Perrin

France

2021-06-10 07:32

Recu in 89 giorni, strip, per testare

Lotte van der Veen

Netherlands

2021-11-23 06:50

Tutto ok, grazie!

Hugo

Spain

2021-12-23 03:52

Va bene. Ricevuto in tempo

K4B2G1646F-BCMA

K4B2G1646F-BCMA Specificazione

K4B2G1646F-BCMA Inventario: 7680

K4B2G1646F-BCMA Parti correlate