K3KL5L50CM-BGCU

Active - IC DRAM LPDDR5X 128 Gb 8533 Mbps
Descrizione:
IC DRAM LPDDR5X 128 Gb 8533 Mbps
K3KL5L50CM-BGCU Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Stato del prodotto
Active
Dimensioni memoria
128 Gb
Organizzazione della memoria
x64
Interfaccia di memoria
Parallel
Durata ciclo di scrittura - Parola, pagina
-
Tensione - Alimentazione
1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V
Temperatura di funzionamento
-25 ~ 85 ℃
Tipo di montaggio
Surface Mount
Contenitore/involucro
496 FBGA
Contenitore del fornitore
496 FBGA
K3KL5L50CM-BGCU Descrizione
### Introduzione al Samsung Semiconductor K3KL5L50CM-BGCU
Il Samsung K3KL5L50CM-BGCU è un chip di memoria NAND Flash progettato per applicazioni di archiviazione ad alta capacità e prestazioni elevate. Questo dispositivo è parte della serie di memorie NAND di Samsung, nota per la sua affidabilità e velocità, ed è particolarmente adatto per l%27uso in smartphone, tablet, dispositivi IoT e altre applicazioni elettroniche.
### Caratteristiche principali
1. Tecnologia NAND Flash: Utilizza la tecnologia NAND Flash, che offre una densità di archiviazione elevata e una bassa latenza, rendendola ideale per applicazioni che richiedono accesso rapido ai dati.
2. Capacità di archiviazione: Il K3KL5L50CM-BGCU offre una capacità di archiviazione di 64 GB, consentendo di memorizzare una grande quantità di dati, tra cui foto, video e applicazioni.
3. Interfaccia di comunicazione: Supporta l%27interfaccia eMMC (embedded MultiMediaCard), che consente una facile integrazione con i sistemi host e garantisce velocità di trasferimento dati elevate.
4. Prestazioni elevate: Grazie alla sua architettura avanzata, il chip offre elevate velocità di lettura e scrittura, rendendolo adatto per applicazioni che richiedono prestazioni elevate.
5. Affidabilità: Progettato per garantire un%27elevata durata e resistenza, il K3KL5L50CM-BGCU è in grado di gestire un numero elevato di cicli di scrittura e cancellazione.
### Specifiche tecniche
- Capacità: 64 GB
- Tipo di memoria: NAND Flash TLC (Triple-Level Cell)
- Interfaccia: eMMC 5.1
- Velocità di lettura sequenziale: Fino a 300 MB/s
- Velocità di scrittura sequenziale: Fino a 150 MB/s
- Tensione di alimentazione: 2.7V - 3.6V
- Temperatura di funzionamento: da -40°C a +85°C
- Dimensioni del package: 11.5 mm x 13 mm x 1.0 mm
- Cicli di scrittura: Fino a 3000 cicli di scrittura garantiti
### Applicazioni
Il Samsung K3KL5L50CM-BGCU è adatto per una vasta gamma di applicazioni, tra cui:
- Smartphone e tablet: Utilizzato come memoria interna per archiviare applicazioni, foto e video.
- Dispositivi IoT: Implementato in dispositivi connessi che richiedono una memoria affidabile e ad alte prestazioni.
- Sistemi di infotainment: Utilizzato in sistemi di intrattenimento per auto e dispositivi multimediali.
- Dispositivi di archiviazione esterna: Adatto per unità flash USB e schede di memoria.
### Conclusione
Il Samsung Semiconductor K3KL5L50CM-BGCU rappresenta una soluzione avanzata per le esigenze di archiviazione nei dispositivi moderni. Grazie alla sua capacità di 64 GB, alle elevate prestazioni e all%27affidabilità, è in grado di soddisfare le esigenze di una vasta gamma di applicazioni. Con la sua tecnologia NAND Flash e l%27interfaccia eMMC, il K3KL5L50CM-BGCU è una scelta eccellente per i progettisti che cercano di ottimizzare le prestazioni e la capacità di archiviazione dei loro prodotti.
K3KL5L50CM-BGCU Inventario: 12900
5.0 / 5.0

2021-08-12 12:06
Transistor IGBT non rilevati SA per testerach accanto a più t7-h, in tescie per przelaczanie con-12V per E più zarowka alimentato 12V per C dito attivato con Plus, zalancza con-wylancza. Wysylka molto veloce, consegna veloce, prodotto buono jakosci, molto noi

2021-12-31 23:06
Buon prodotto e funziona correttamente.

2021-07-09 02:45
Ben accolto, non ancora testato

2021-12-03 00:22
Ordino 10 pezzi. Ora prova tre fiches e due era ID 0x441, che è STM32F412, non STM32F407. Sono molto deluso.

2021-12-27 06:22
La merce è molto soddisfatta, il venditore Grazie mille.