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Casa  /  Semiconduttore Discreti  /  Transistor - Bipolare (BJT) - RF  /  Rochester Electronics MX0912B251Y

MX0912B251Y

Active Icon Obsolete - MX0912B251Y - NPN SILICON RF POW
MX0912B251Y
MX0912B251Y
Rochester Electronics
Fabbricante:
Parte Mfr #
Scheda tecnica:
Descrizione:
MX0912B251Y - NPN SILICON RF POW
 
3D Model Icon

MX0912B251Y Specificazione

Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Fabbricante
Serie
-
Imballaggio
Bulk
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo di transistor
NPN
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)
60V
Frequenza - Transizione
1.215GHz
Cifra di rumore (dB tip. a f)
-
Guadagno
8dB
Potenza - Max
690W
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce
-
Corrente - Collettore (Ic) max
15A
Temperatura di funzionamento
-
Tipo di montaggio
Chassis Mount
Contenitore/involucro
SOT-439A
Contenitore del fornitore
CDFM2

MX0912B251Y Inventario: 6900

Storia Prezzo
Obsolete
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Justine Perrin
Location Icon France
5 stars
2021-06-10 07:32
Recu in 89 giorni, strip, per testare
Author Icon
Lotte van der Veen
Location Icon Netherlands
5 stars
2021-11-23 06:50
Tutto ok, grazie!
Author Icon
Hugo
Location Icon Spain
5 stars
2021-12-23 03:52
Va bene. Ricevuto in tempo
Author Icon
Felipe Soto
Location Icon Spain
5 stars
2021-02-06 23:42
Ricevuto perfettamente. Saldato un%27%27unità sul circuito stampato corrispondente che funziona perfettamente per sostituire un%27%27unità difettosa su una piastra Arduino Nano.
Author Icon
Katharina Schneider
Location Icon Germany
5 stars
2021-08-04 23:28
2 settimane per la consegna. I chip funzionano bene

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