RM8N650LD
Active - MOSFET N-CHANNEL 650V 8A TO252-2
Descrizione:
MOSFET N-CHANNEL 650V 8A TO252-2
RM8N650LD Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain/source (Vdss)
650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
8A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
540mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) max a Id
3.5V @ 250μA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
-
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
680 pF @ 50 V
Dissipazione di potenza (max)
80W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Contenitore del fornitore
TO-252-2
Contenitore/involucro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
RM8N650LD Inventario: 9520
5.0 / 5.0
2023-04-04 05:08
Consegna ordinata, buon servizio consigliato
2023-04-06 10:46
Ottimo venditore, prodotto molto veloce, ben confezionato, grazie anche a te
2023-04-05 07:51
In alto come nella descrizione
2023-04-06 01:07
Avevo bisogno dei MOSFET per una scheda RGBW. Dopo un anno è ancora tutto a posto
2023-04-05 14:52
Ottimo prodotto, prezzo e spedizione. Ottimo !! del venditore Grazie.
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