RM80N20DN
Active - MOSFET N-CHANNEL 20V 80A 8PPAK
Descrizione:
MOSFET N-CHANNEL 20V 80A 8PPAK
RM80N20DN Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain/source (Vdss)
20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
80A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
1.8V, 4.5V
RDSon (max) a Id, Vgs
3.5mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) max a Id
1V @ 250μA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
-
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
5500 pF @ 10 V
Dissipazione di potenza (max)
66W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Contenitore del fornitore
8-PPAK (3x3)
Contenitore/involucro
8-PowerWDFN
Italy
