RM2N650IP
Active - MOSFET N-CHANNEL 650V 2A TO251
Descrizione:
MOSFET N-CHANNEL 650V 2A TO251
RM2N650IP Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain/source (Vdss)
650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
2A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
2.5Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) max a Id
3.5V @ 250μA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
-
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
190 pF @ 50 V
Dissipazione di potenza (max)
23W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Contenitore del fornitore
TO-251
Contenitore/involucro
TO-251-3 Stub Leads, IPak
RM2N650IP Inventario: 42160
5.0 / 5.0
2023-03-23 22:54
Tutto ok consigliato, ottimo prodotto
2023-03-25 04:23
Tutto come ordinato, non ho controllato la qualità, ma l%27%27aspetto e la quantità sono conformi alla descrizione. La consegna è veloce. Grazie! (PS Sì, sono una donna! Non lasciarti confondere!)
2023-03-26 01:25
Sono arrivati molto più velocemente del previsto. Tutto quello che devo fare è cavalcarli.
2023-03-24 03:47
Semplicemente eccellente!! Grazie.
2022-12-19 19:44
La consegna non è arrivata.
Italy
