RM2003
Active - MOSFET N&P-CH 20V 3A SOT23-6
Descrizione:
MOSFET N&P-CH 20V 3A SOT23-6
RM2003 Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
N and P-Channel
Tensione drain/source (Vdss)
3A (Ta)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
35mOhm @ 3A, 4.5V, 75mOhm @ 2.5A, 4.5V
RDSon (max) a Id, Vgs
1.2V @ 250μA, 1V @ 250μA
Vgs(th) max a Id
5nC @ 4.5V, 3.2nC @ 4.5V
Carica del gate (Qg) max a Vgs
260pF @ 10V, 325pF @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
800mW (Ta)
Potenza - Max
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Temperatura di funzionamento
Surface Mount
Tipo di montaggio
SOT-23-6
Contenitore/involucro
SOT-23-6
Contenitore del fornitore
-
RM2003 Inventario: 10840
5.0 / 5.0
2023-03-26 01:25
Sono arrivati molto più velocemente del previsto. Tutto quello che devo fare è cavalcarli.
2023-03-24 03:47
Semplicemente eccellente!! Grazie.
2022-12-19 19:44
La consegna non è arrivata.
2023-03-25 13:19
È come la descrizione (Toshiba). È l%27%27importo che ho chiesto. Molto rapidamente mandò a mandare. Non ancora provato, metterò ulteriori commenti più tardi.
2023-03-25 19:53
sembra buono. Non ancora testato.
France
