FM6K62010L
Obsolete - MOSFET N-CH 20V 2A WSMINI6
Descrizione:
MOSFET N-CH 20V 2A WSMINI6
FM6K62010L Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto
Obsolete
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain/source (Vdss)
20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
2A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
2.5V, 4V
RDSon (max) a Id, Vgs
105mOhm @ 1A, 4V
Vgs(th) max a Id
1.3V @ 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
-
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
280 pF @ 10 V
Funzione FET
Schottky Diode (Isolated)
Dissipazione di potenza (max)
700mW (Ta)
Temperatura di funzionamento
125 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Contenitore del fornitore
WSMini6-F1-B
Contenitore/involucro
6-SMD, Flat Leads
Netherlands
