SI4435DY
Active - MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Descrizione:
MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
SI4435DY Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
8.8A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4.5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
20mOhm @ 8.8A, 10V
Vgs(th) max a Id
3V @ 250μA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
24 nC @ 5 V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1604 pF @ 15 V
Dissipazione di potenza (max)
2.5W (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Contenitore del fornitore
8-SOIC
Contenitore/involucro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
SI4435DY Inventario: 28520
5.0 / 5.0
2023-03-25 04:23
Tutto come ordinato, non ho controllato la qualità, ma l%27%27aspetto e la quantità sono conformi alla descrizione. La consegna è veloce. Grazie! (PS Sì, sono una donna! Non lasciarti confondere!)
2023-03-26 01:25
Sono arrivati molto più velocemente del previsto. Tutto quello che devo fare è cavalcarli.
2023-03-24 03:47
Semplicemente eccellente!! Grazie.
2022-12-19 19:44
La consegna non è arrivata.
2023-03-25 13:19
È come la descrizione (Toshiba). È l%27%27importo che ho chiesto. Molto rapidamente mandò a mandare. Non ancora provato, metterò ulteriori commenti più tardi.
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