RFP4N100
Obsolete - MOSFET N-CH 1000V 4.3A TO220-3
Descrizione:
MOSFET N-CH 1000V 4.3A TO220-3
RFP4N100 Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Stato del prodotto
Obsolete
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain/source (Vdss)
1000 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
4.3A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
-
RDSon (max) a Id, Vgs
3.5Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V @ 250μA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
120 nC @ 20 V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
-
Dissipazione di potenza (max)
-
Temperatura di funzionamento
-
Tipo di montaggio
Through Hole
Contenitore del fornitore
TO-220-3
Contenitore/involucro
TO-220-3
Germany
