RFD8P05
Obsolete - MOSFET P-CH 50V 8A I-PAK
Descrizione:
MOSFET P-CH 50V 8A I-PAK
RFD8P05 Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Stato del prodotto
Obsolete
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain/source (Vdss)
50 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
8A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
300mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V @ 250μA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
80 nC @ 20 V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
-
Dissipazione di potenza (max)
48W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Contenitore del fornitore
I-PAK
Contenitore/involucro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
United States
