IRL8113PBF
Active - HEXFET POWER MOSFET
Descrizione:
HEXFET POWER MOSFET
IRL8113PBF Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
105A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4.5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
6mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) max a Id
2.25V @ 250μA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
35 nC @ 4.5 V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
2840 pF @ 15 V
Dissipazione di potenza (max)
110W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Contenitore del fornitore
TO-220AB
Contenitore/involucro
TO-220-3
IRL8113PBF Inventario: 41440
5.0 / 5.0
2023-05-21 09:34
Ho ricevuto la ciambella prima della scadenza secondo l%27%27ordine
2023-05-20 06:38
Non ancora testato, il chip sembra nuovo.
2023-05-23 23:56
In conformità con la descrizione. Consegnato rapidamente.
2023-03-08 02:12
Tutto bene ben descritto e funzionante
2023-04-24 13:06
Tutto fantastico! Raccomandato
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