FQT4N20LTF
Active - MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4
Descrizione:
MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4
FQT4N20LTF Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain/source (Vdss)
200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
850mA (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
1.35Ohm @ 425mA, 10V
Vgs(th) max a Id
2V @ 250μA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
5.2 nC @ 5 V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
310 pF @ 25 V
Dissipazione di potenza (max)
2.2W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Contenitore del fornitore
SOT-223-4
Contenitore/involucro
TO-261-4, TO-261AA
FQT4N20LTF Inventario: 33520
5.0 / 5.0
2023-03-25 13:19
È come la descrizione (Toshiba). È l%27%27importo che ho chiesto. Molto rapidamente mandò a mandare. Non ancora provato, metterò ulteriori commenti più tardi.
2023-03-25 19:53
sembra buono. Non ancora testato.
2022-11-10 14:27
alcuni componenti danneggiati, inutilizzabili
2023-03-20 09:32
Bene 50 pezzi. Ottimo per il prezzo!
2023-03-21 12:55
Bloccato in dogana
United States
