FQD2N80TF
Obsolete - MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
Descrizione:
MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
FQD2N80TF Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto
Obsolete
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain/source (Vdss)
800 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
1.8A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
6.3Ohm @ 900mA, 10V
Vgs(th) max a Id
5V @ 250μA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
15 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
550 pF @ 25 V
Dissipazione di potenza (max)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Contenitore del fornitore
TO-252AA
Contenitore/involucro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Germany
