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Casa  /  Semiconduttore Discreti  /  Transistor - FET, MOSFET singoli  /  onsemi FQB630TM

FQB630TM

Active Icon Obsolete - MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
FQB630TM
FQB630TM
onsemi
Fabbricante:
Parte Mfr #
Scheda tecnica:
Descrizione:
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
 
3D Model Icon

FQB630TM Specificazione

Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Fabbricante
Serie
QFET
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain/source (Vdss)
200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
9A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
400mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V @ 250μA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (max)
?5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
550 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3.13W (Ta), 78W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Contenitore del fornitore
D2PAK (TO-263)
Contenitore/involucro
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

FQB630TM Inventario: 45120

Storia Prezzo
Obsolete
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
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Andrea Gallo
Location Icon Italy
5 stars
2023-05-22 05:34
tutto ok grazie
Author Icon
Anaëlle Simon
Location Icon France
5 stars
2023-05-23 23:55
Consegna veloce, e come la descrizione
Author Icon
Johanna von Stuhl
Location Icon Germany
5 stars
2023-05-23 05:40
Elaborazione perfetta e veloce, venditore affidabile, 5 stelle *****
Author Icon
Emil Schwarz
Location Icon Germany
5 stars
2023-05-23 21:41
Buona qualità e consegna veloce :-)
Author Icon
Jakub Wysocki
Location Icon Poland
5 stars
2023-05-21 09:36
Ho ricevuto il pacco in base all%27%27ordine prima della scadenza

FQB630TM Parti correlate

FQB10N20CTM
FQB9N15TM
FQB11N40CTM
FQB15P12TM
FQB9N50CFTM
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