FQB630TM

Obsolete - MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Descrizione:
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
FQB630TM Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto
Obsolete
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain/source (Vdss)
200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
9A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
400mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V @ 250μA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
25 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
550 pF @ 25 V
Dissipazione di potenza (max)
3.13W (Ta), 78W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Contenitore del fornitore
D2PAK (TO-263)
Contenitore/involucro
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
FQB630TM Inventario: 45120
5.0 / 5.0

2023-05-22 05:34
tutto ok grazie

2023-05-23 23:55
Consegna veloce, e come la descrizione

2023-05-23 05:40
Elaborazione perfetta e veloce, venditore affidabile, 5 stelle *****

2023-05-23 21:41
Buona qualità e consegna veloce :-)

2023-05-21 09:36
Ho ricevuto il pacco in base all%27%27ordine prima della scadenza