FQA19N60
Active - POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Descrizione:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FQA19N60 Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain/source (Vdss)
600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
18.5A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
380mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs(th) max a Id
5V @ 250μA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
90 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
3600 pF @ 25 V
Dissipazione di potenza (max)
300W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Contenitore del fornitore
TO-3PN
Contenitore/involucro
TO-3P-3, SC-65-3
FQA19N60 Inventario: 26560
5.0 / 5.0
2023-04-11 18:34
OK più pas test
2023-04-18 09:27
Ottimo articolo, ottimo venditore, A
2023-04-17 10:01
Tutto ok! buon venditore
2023-04-16 07:52
Come promesso, componente originale per spedizionieri veloci! Comunicatore molto veloce!
2023-04-11 13:26
Tutto era buono, spedizione velocissima, contento dell%27%27acquisto
France
