FFSM2065B
Active - DIODE SIL CARB 650V 23.4A 4PQFN
Descrizione:
DIODE SIL CARB 650V 23.4A 4PQFN
FFSM2065B Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max
650 V
Corrente - Media rettificata (Io)
23.4A
Tensione - Diretta (Vf) max a If
1.7 V @ 20 A
Velocità
No Recovery Time >500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (Trr)
0 ns
Corrente - Dispersione inversa a Vr
40 μA @ 650 V
Capacità a Vr, F
866pF @ 1V, 100kHz
Tipo di montaggio
Surface Mount
Contenitore/involucro
4-PowerTSFN
Contenitore del fornitore
4-PQFN (8x8)
Temp. di funzionamento - Giunzione
-55 ℃ ~ 175 ℃
Germany
