FFSM1065A
Active - DIODE SIL CARBIDE 650V 11A 4PQFN
Descrizione:
DIODE SIL CARBIDE 650V 11A 4PQFN
FFSM1065A Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max
650 V
Corrente - Media rettificata (Io)
11A
Tensione - Diretta (Vf) max a If
1.75 V @ 10 A
Velocità
No Recovery Time >500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (Trr)
0 ns
Corrente - Dispersione inversa a Vr
200 μA @ 650 V
Capacità a Vr, F
575pF @ 1V, 100kHz
Tipo di montaggio
Surface Mount
Contenitore/involucro
4-PowerTSFN
Contenitore del fornitore
4-PQFN (8x8)
Temp. di funzionamento - Giunzione
-55 ℃ ~ 175 ℃
FFSM1065A Inventario: 23120
5.0 / 5.0
2022-12-19 19:44
La consegna non è arrivata.
2023-03-25 13:19
È come la descrizione (Toshiba). È l%27%27importo che ho chiesto. Molto rapidamente mandò a mandare. Non ancora provato, metterò ulteriori commenti più tardi.
2023-03-25 19:53
sembra buono. Non ancora testato.
2022-11-10 14:27
alcuni componenti danneggiati, inutilizzabili
2023-03-20 09:32
Bene 50 pezzi. Ottimo per il prezzo!
Finland
