FDS86267P
Active - MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SOIC
Descrizione:
MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SOIC
FDS86267P Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain/source (Vdss)
150 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
2.2A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
6V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
255mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V @ 250μA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
16 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1130 pF @ 75 V
Dissipazione di potenza (max)
1W (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Contenitore del fornitore
8-SOIC
Contenitore/involucro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
FDS86267P Inventario: 380
5.0 / 5.0
2023-03-23 22:53
Tutto ok consigliato, ottimo prodotto
2023-03-23 13:21
Funziona senza intoppi grazie
2023-03-22 19:30
Sono molto soddisfatto
2023-03-24 00:36
Produzione professionale e consegna rapida%26lt;br%26gt;Ottima qualità e funzionalità%26lt;br%26gt;Continua a consigliare e accogliere di nuovo%26lt;br%26gt;Grazie
2023-03-20 09:58
Ottimo negozio, va bene. Grazie mille.
Italy
