FDS86141
Active - MOSFET N-CH 100V 7A 8SOIC
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 7A 8SOIC
FDS86141 Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain/source (Vdss)
100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
7A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
6V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
23mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V @ 250μA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
16.5 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
934 pF @ 50 V
Dissipazione di potenza (max)
2.5W (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Contenitore del fornitore
8-SOIC
Contenitore/involucro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Spain
