FDS6675BZ
Active - MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Descrizione:
MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
FDS6675BZ Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
11A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4.5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
13mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) max a Id
3V @ 250μA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
62 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
2470 pF @ 15 V
Dissipazione di potenza (max)
2.5W (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Contenitore del fornitore
8-SOIC
Contenitore/involucro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
FDS6675BZ Inventario: 36080
5.0 / 5.0
2023-05-26 15:20
Non li ho usati, l%27ho acquistato di ricambio.
2023-05-24 09:17
Perfetto, va bene così. Grazie
2023-01-05 06:42
Componenti O.K. Consegna veloce. Molto bene.
2023-05-26 02:47
Ricevuto abbastanza rapidamente ma non ancora testato.
2023-05-25 05:33
Come da descrizione
Spain
