FDS6673BZ
Active - MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC
Descrizione:
MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC
FDS6673BZ Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
14.5A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4.5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
7.8mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs(th) max a Id
3V @ 250μA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
124 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
4700 pF @ 15 V
Dissipazione di potenza (max)
2.5W (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Contenitore del fornitore
8-SOIC
Contenitore/involucro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
FDS6673BZ Inventario: 11840
5.0 / 5.0
2023-05-16 05:43
100% OK !!
2023-05-17 10:19
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2023-05-20 00:45
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2023-05-22 07:03
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2023-05-16 05:38
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