FDS6612A
Active - MOSFET N-CH 30V 8.4A 8SOIC
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 8.4A 8SOIC
FDS6612A Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
8.4A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4.5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
22mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs(th) max a Id
3V @ 250μA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
7.6 nC @ 5 V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
560 pF @ 15 V
Dissipazione di potenza (max)
2.5W (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Contenitore del fornitore
8-SOIC
Contenitore/involucro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
FDS6612A Inventario: 5280
5.0 / 5.0
2023-04-24 14:37
I prodotti corrispondono alla descrizione. Il materiale è arrivato dopo cinque settimane, ma prima del tempo di consegna previsto.
2023-04-29 11:19
Spedizione veloce, negozio affidabile
2023-04-30 08:42
Ottimo prodotto e consegna veloce%26lt;br%26gt;Confezionato molto bene per la spedizione%26lt;br%26gt;Posso consigliare questo venditore
2023-04-21 10:53
Arrivato prima della data di consegna, corrisponde alla descrizione.
2023-04-25 08:39
consegna veloce, buon prezzo
Italy
