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Casa  /  Semiconduttore Discreti  /  Transistor - FET, MOSFET singoli  /  onsemi FDS5690

FDS5690

Active Icon Obsolete - MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC
FDS5690
FDS5690
onsemi
Fabbricante:
Parte Mfr #
Scheda tecnica:
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC
 
3D Model Icon

FDS5690 Specificazione

Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Fabbricante
Serie
PowerTrench
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain/source (Vdss)
60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
7A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
6V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
28mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V @ 250μA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (max)
?0V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1107 pF @ 30 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2.5W (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Contenitore del fornitore
8-SOIC
Contenitore/involucro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

FDS5690 Inventario: 19280

Storia Prezzo
$0.94000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
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Léonard Moreau
Location Icon France
5 stars
2023-02-11 03:27
Sono molto soddisfatto
Author Icon
Elijah Brooks
Location Icon United States
5 stars
2023-02-12 23:38
Descrizione Accurato ma fai attenzione: 10 pz 555 e 10 bussole.
Author Icon
Ramón
Location Icon Spain
5 stars
2023-02-11 02:23
Tutto ok, ricevuto in giorni, bisogno di provare
Author Icon
Joris van der Veen
Location Icon Netherlands
5 stars
2023-02-11 00:16
Grazie venditore, va tutto bene, lo consiglio
Author Icon
Andrzej Kowalczyk
Location Icon Poland
5 stars
2023-02-12 22:20
Le merci vengono acquistate, il Garno di imballaggio è tutto pratsyu, shvidko fino a 3 tizhniv. Il venditore consiglia.

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