FDS3912
Obsolete - MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
FDS3912 Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto
Obsolete
Tecnologia
2 N-Channel (Dual)
Configurazione
Logic Level Gate
Tensione drain/source (Vdss)
3A
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
125mOhm @ 3A, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
4V @ 250μA
Vgs(th) max a Id
20nC @ 10V
Carica del gate (Qg) max a Vgs
632pF @ 50V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
900mW
Potenza - Max
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Temperatura di funzionamento
Surface Mount
Tipo di montaggio
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Contenitore/involucro
8-SOIC
Contenitore del fornitore
-
FDS3912 Inventario: 6640
5.0 / 5.0
2023-03-24 03:47
Semplicemente eccellente!! Grazie.
2022-12-19 19:44
La consegna non è arrivata.
2023-03-25 13:19
È come la descrizione (Toshiba). È l%27%27importo che ho chiesto. Molto rapidamente mandò a mandare. Non ancora provato, metterò ulteriori commenti più tardi.
2023-03-25 19:53
sembra buono. Non ancora testato.
2022-11-10 14:27
alcuni componenti danneggiati, inutilizzabili
Finland
