FDS3512
Active - MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC
Descrizione:
MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC
FDS3512 Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain/source (Vdss)
80 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
4A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
6V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
70mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V @ 250μA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
18 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
634 pF @ 40 V
Dissipazione di potenza (max)
2.5W (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Contenitore del fornitore
8-SOIC
Contenitore/involucro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
FDS3512 Inventario: 7760
5.0 / 5.0
2023-02-09 12:01
Grazie, oggetto conforme, follow-up della consegna veloce ok, ci vediamo al prossimo ordine!!
2023-02-10 11:00
Ciao, tutto va bene secondo la descrizione di consiglio la consegna super veloce per quello che grazie riguarda%26lt;br%26gt;B
2022-08-19 13:29
I transistor IGBT controllati su testerach e tescie si aprono e si chiudono, tutti e 5 i pezzi lisci.%26lt;br%26gt;Per quanto riguarda ora da questo venditore przychodza tutto liscio ciò che è rzadkoscia U altro sprzedawcow tranzystorow IGBT, consigliare, buona comunicazione con il venditore.
2023-02-09 11:27
Come nella descrizione, ain non li ho installati per testare
2023-02-10 05:28
Aspetto di qualità buono imballato bene grazie
France
