FDP8860
Active - POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
Descrizione:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
FDP8860 Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
80A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4.5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
2.5mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) max a Id
2.5V @ 250μA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
222 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
12240 pF @ 15 V
Dissipazione di potenza (max)
254W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Contenitore del fornitore
TO-220-3
Contenitore/involucro
TO-220-3
FDP8860 Inventario: 21860
5.0 / 5.0
2023-01-25 08:28
Ottimo imballaggio di patatine fritte ha richiesto solo 3 settimane negli Stati Uniti
2023-01-27 10:43
Eccellente inviato molto velocemente
2023-01-27 01:35
Arrivato in 15 giorni come da foto
2023-01-24 11:28
Buon venditore. Prodotto OK, ma un po%27%27 costoso.
2023-01-26 00:18
Gauta. Netikrints Veikimas.
United States
