FDP61N20
Active - MOSFET N-CH 200V 61A TO220-3
Descrizione:
MOSFET N-CH 200V 61A TO220-3
FDP61N20 Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain/source (Vdss)
200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
61A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
41mOhm @ 30.5A, 10V
Vgs(th) max a Id
5V @ 250μA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
75 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
3380 pF @ 25 V
Dissipazione di potenza (max)
417W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Contenitore del fornitore
TO-220-3
Contenitore/involucro
TO-220-3
Italy
