FDP33N25
Active - MOSFET N-CH 250V 33A TO220-3
Descrizione:
MOSFET N-CH 250V 33A TO220-3
FDP33N25 Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain/source (Vdss)
250 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
33A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
94mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) max a Id
5V @ 250μA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
48 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
2135 pF @ 25 V
Dissipazione di potenza (max)
235W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Contenitore del fornitore
TO-220-3
Contenitore/involucro
TO-220-3
FDP33N25 Inventario: 44560
5.0 / 5.0
2023-04-28 05:02
Tutto corretto, come mi aspettavo.
2023-05-13 12:48
grazie, va tutto bene, sono soddisfatto
2023-05-13 12:48
grazie, va tutto bene, sono soddisfatto
2023-04-27 05:01
Spedizione veloce, imballaggio normale e funziona perfettamente
2023-05-13 20:07
perfetto da utilizzare su Xbox 360 rgh (trinity board)
Spain
