FDN339AN
Active - MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3
Descrizione:
MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3
FDN339AN Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain/source (Vdss)
20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
3A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
2.5V, 4.5V
RDSon (max) a Id, Vgs
35mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) max a Id
1.5V @ 250μA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
10 nC @ 4.5 V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
700 pF @ 10 V
Dissipazione di potenza (max)
500mW (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Contenitore del fornitore
SOT-23-3
Contenitore/involucro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Germany
