FDMS86183
Active - MOSFET N-CH 100V 51A 8PQFN
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 51A 8PQFN
FDMS86183 Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain/source (Vdss)
100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
51A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
6V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
12.8mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V @ 90μA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
14 nC @ 6 V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1515 pF @ 50 V
Dissipazione di potenza (max)
63W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Contenitore del fornitore
8-PQFN (5x6)
Contenitore/involucro
8-PowerTDFN
FDMS86183 Inventario: 27120
5.0 / 5.0
2022-12-19 19:44
La consegna non è arrivata.
2023-03-25 13:19
È come la descrizione (Toshiba). È l%27%27importo che ho chiesto. Molto rapidamente mandò a mandare. Non ancora provato, metterò ulteriori commenti più tardi.
2023-03-25 19:53
sembra buono. Non ancora testato.
2022-11-10 14:27
alcuni componenti danneggiati, inutilizzabili
2023-03-20 09:32
Bene 50 pezzi. Ottimo per il prezzo!
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