FDMS3660AS
Obsolete - MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8QFN
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8QFN
FDMS3660AS Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto
Obsolete
Tecnologia
2 N-Channel (Dual)
Configurazione
Logic Level Gate
Tensione drain/source (Vdss)
13A, 30A
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
8mOhm @ 13A, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
2.7V @ 250μA
Vgs(th) max a Id
30nC @ 10V
Carica del gate (Qg) max a Vgs
2230pF @ 15V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1W
Potenza - Max
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Temperatura di funzionamento
Surface Mount
Tipo di montaggio
8-PowerTDFN
Contenitore/involucro
Power56
Contenitore del fornitore
-
FDMS3660AS Inventario: 49200
5.0 / 5.0
2023-03-24 03:47
Semplicemente eccellente!! Grazie.
2022-12-19 19:44
La consegna non è arrivata.
2023-03-25 13:19
È come la descrizione (Toshiba). È l%27%27importo che ho chiesto. Molto rapidamente mandò a mandare. Non ancora provato, metterò ulteriori commenti più tardi.
2023-03-25 19:53
sembra buono. Non ancora testato.
2022-11-10 14:27
alcuni componenti danneggiati, inutilizzabili
Finland
