FDMQ8203
Active - MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12-MLP
Descrizione:
MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12-MLP
FDMQ8203 Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Serie
GreenBridge PowerTrench
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
2 N and 2 P-Channel (Half Bridge)
Configurazione
Logic Level Gate
Tensione drain/source (Vdss)
3.4A, 2.6A
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
110mOhm @ 3A, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
4V @ 250μA
Vgs(th) max a Id
5nC @ 10V
Carica del gate (Qg) max a Vgs
210pF @ 50V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
2.5W
Potenza - Max
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Temperatura di funzionamento
Surface Mount
Tipo di montaggio
12-WDFN Exposed Pad
Contenitore/involucro
12-MLP (5x4.5)
Contenitore del fornitore
-
Italy
