FDMD8680
Active - MOSFET 2 N-CH 80V 66A 8-PQFN
Descrizione:
MOSFET 2 N-CH 80V 66A 8-PQFN
FDMD8680 Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
2 N-Channel (Dual)
Tensione drain/source (Vdss)
66A (Tc)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
4.7mOhm @ 16A, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
4V @ 250μA
Vgs(th) max a Id
73nC @ 10V
Carica del gate (Qg) max a Vgs
5330pF @ 40V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
39W
Potenza - Max
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Temperatura di funzionamento
Surface Mount
Tipo di montaggio
8-PowerWDFN
Contenitore/involucro
8-Power 5x6
Contenitore del fornitore
-
FDMD8680 Inventario: 11440
5.0 / 5.0
2023-03-26 01:25
Sono arrivati molto più velocemente del previsto. Tutto quello che devo fare è cavalcarli.
2023-03-24 03:47
Semplicemente eccellente!! Grazie.
2022-12-19 19:44
La consegna non è arrivata.
2023-03-25 13:19
È come la descrizione (Toshiba). È l%27%27importo che ho chiesto. Molto rapidamente mandò a mandare. Non ancora provato, metterò ulteriori commenti più tardi.
2023-03-25 19:53
sembra buono. Non ancora testato.
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France
