FDD8870
Active - MOSFET N-CH 30V 21A/160A TO252AA
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 21A/160A TO252AA
FDD8870 Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
21A (Ta), 160A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4.5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
3.9mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) max a Id
2.5V @ 250μA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
118 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
5160 pF @ 15 V
Dissipazione di potenza (max)
160W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Contenitore del fornitore
TO-252AA
Contenitore/involucro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
United States
