FDD5353
Active - MOSFET N-CH 60V 11.5A/50A DPAK
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 11.5A/50A DPAK
FDD5353 Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain/source (Vdss)
60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
11.5A (Ta), 50A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4.5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
12.3mOhm @ 10.7A, 10V
Vgs(th) max a Id
3V @ 250μA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
65 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
3215 pF @ 30 V
Dissipazione di potenza (max)
3.1W (Ta), 69W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Contenitore del fornitore
TO-252AA
Contenitore/involucro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Lithuania
