FDC855N
Active - MOSFET N-CH 30V 6.1A SUPERSOT6
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 6.1A SUPERSOT6
FDC855N Specificazione
Attributo del Prodotto
Valore Attributo
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 ℃
6.1A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4.5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
27mOhm @ 6.1A, 10V
Vgs(th) max a Id
3V @ 250μA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
13 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
655 pF @ 15 V
Dissipazione di potenza (max)
1.6W (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Contenitore del fornitore
SuperSOT?-6
Contenitore/involucro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
FDC855N Inventario: 9680
5.0 / 5.0
2023-04-05 08:22
Quindi, come dovrebbe essere!!
2023-04-04 12:09
Tutto ok consigliato
2023-04-01 03:19
Inviato rapidamente. Testato e sono OK.
2023-04-04 04:42
Perfetto. Arrivato in Italia in pochissimo tempo. Ottimo venditore.
2022-10-29 11:42
tutto lavoro, comprato già da un paio di volte
Germany
